类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.9mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP

R104G50 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低在高电流应用中的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的栅极绝缘性能，能够承受高达 ±20V 的栅源电压，从而在驱动过程中提供更好的稳定性和可靠性。
　　另一个显著的特性是其优异的热性能。由于采用了高效的封装和内部结构设计，R104G50 能够在高负载条件下保持较低的结温，避免因过热而导致的性能下降或器件损坏。同时，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，适合用于对系统稳定性要求较高的工业和汽车应用。
　　在开关性能方面，R104G50 提供了快速的开关响应时间，降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。此外，其封装形式为SOP，具有较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。

R104G50 主要用于需要高效功率管理的电子系统中。典型应用包括服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电流能力和优异的热性能，R104G50 也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统。
　　在消费类电子产品中，R104G50 可用于高性能电源管理单元，提供稳定的电源转换效率和更低的功耗。此外，该MOSFET还可用于UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及储能系统的功率开关部分。

R104G50 的替代型号包括：SiS104N10NM5-T1-GE3、FDMS86180、IRFB4110、NTMFS4C10N 和 IPB011N10N3 G。这些型号在电气参数、封装形式和应用场景上与 R104G50 具有较高的兼容性，可根据具体设计需求进行选择。