R064C 时间：2025/12/27 13:20:57 阅读：21

R064C是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及电池供电设备等场合。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似小型封装），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在空间受限且对效率要求较高的便携式电子产品中使用。R064C的设计注重能效与可靠性，在低电压控制应用中表现出色，能够通过微控制器或其他逻辑信号直接驱动，从而简化电路设计。此外，该MOSFET具备一定的雪崩耐受能力，提升了系统在瞬态负载或电感反冲环境下的鲁棒性。其制造工艺符合环保标准，支持无铅焊接流程，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性认证，适用于汽车电子中的辅助电源模块和LED驱动等场景。

参数

型号：R064C
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 1.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V；28mΩ @ VGS=4.5V
　　输入电容（Ciss）：约500pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：约180pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

R064C具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高速开关能力的结合，使其在高效率电源转换系统中表现卓越。该MOSFET的导通电阻在VGS=10V时仅为22mΩ，在VGS=4.5V时也仅为28mΩ，这意味着即使在较低的驱动电压下仍能保持较低的导通损耗，特别适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景，如微处理器外围电源控制、负载开关和同步整流电路。这种低RDS(on)特性显著降低了功率耗散，提高了整体系统效率，尤其在电池供电设备中延长了续航时间。
　　该器件的阈值电压范围为1.0V至1.5V，属于超结（Super Junction）或先进沟槽型工艺产品，确保了快速开启和关闭响应，减少了开关过渡期间的能量损耗。同时，其输入电容和输出电容数值较小，有助于降低驱动电路的负担，提升高频工作的可行性。对于DC-DC降压变换器而言，R064C可作为同步整流管或主开关管使用，有效减少热量积聚，提升功率密度。
　　在可靠性方面，R064C采用了坚固的芯片结构设计，具备一定的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或电感负载断开时提供一定程度的自我保护，增强了系统的耐用性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业和车载环境。封装采用SOT-23小型化设计，不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，符合现代电子产品微型化趋势。此外，器件符合RoHS指令要求，支持绿色制造流程。

应用

R064C广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、小尺寸和低成本解决方案的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的负载开关与电池切换电路。在这些设备中，R064C用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机和动态电源分配。
　　在DC-DC转换器领域，该MOSFET常被用作同步整流器或主开关元件，特别是在 buck（降压）拓扑结构中，配合控制器实现高效的电压调节。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导和开关损耗，提升转换效率，满足高能效标准。
　　此外，R064C也适用于电机驱动电路，如微型直流电机、步进电机的H桥驱动中的低端开关，凭借其快速响应能力和良好热性能，保障电机平稳运行并防止过热损坏。在汽车电子方面，它可用于车身控制模块、LED照明驱动、传感器电源管理等非主驱系统，得益于其通过AEC-Q101认证，具备车规级可靠性。
　　其他应用场景还包括USB电源开关、热插拔控制器、充电管理电路以及各类嵌入式控制系统中的固态继电器替代方案。