时间：2025/7/11 12:37:21
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QVS107CG2R2BCHT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频和高效功率转换应用。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。
这款 GaN 器件结合了高效率和高频率特性，能够在高频工作条件下显著减少能量损耗，同时保持较小的体积和较轻的重量。
型号：QVS107CG2R2BCHT
类型：增强型高电子迁移率晶体管（E-Mode HEMT）
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：8 A
导通电阻：2.2 mΩ
栅极电荷：45 nC
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件，无体二极管）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263-7（表面贴装）
QVS107CG2R2BCHT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（2.2 mΩ），能够显著降低传导损耗。
2. 支持高达 650V 的漏源电压，适用于多种高压应用环境。
3. 先进的氮化镓技术，具有更高的开关速度和更低的开关损耗。
4. 内部集成保护功能，可提升系统可靠性。
5. 表面贴装封装设计，方便自动化生产，提高组装效率。
6. 高温工作能力（最高至+150°C），适应更广泛的工业环境需求。
该芯片广泛应用于各种高效率和高频功率转换场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：用于消费类电子产品和工业设备中的高效电源模块。
2. DC-DC 转换器：在汽车电子、通信基站及服务器电源中实现高效的电压调节。
3. 太阳能逆变器：利用其高频特性来优化太阳能发电系统的能量转换效率。
4. 无线充电器：支持更高功率输出的同时维持高效运作。
5. 快速充电适配器：通过更快的开关速度实现小型化和高效化设计。
6. 电机驱动器：在电动工具和其他家电产品中提供精确控制和节能效果。
QGD107CG2R2BCHT, QVS108CG2R5BCHT
