时间：2025/3/19 11:42:59
阅读：19
QVS107CG030BCHT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
该型号中的QVS表明其为特定厂商系列下的功率MOSFET产品线，后缀部分则详细描述了其封装形式、电气特性和其他关键参数。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：30A
导通电阻Rds(on)：2.5mΩ
总功耗Ptot：240W
结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻（2.5mΩ），可有效减少导通损耗并提升整体效率。
2. 高开关速度，适合高频应用环境，能够降低开关损耗。
3. 强大的散热能力，得益于其大尺寸金属封装设计，可快速将热量传导至散热器。
4. 良好的静电防护性能（ESD Protection），提升了器件在实际使用中的可靠性。
5. 支持宽范围的工作温度区间，确保在极端条件下仍能稳定运行。
该MOSFET广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器内的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
4. 新能源汽车的电池管理系统（BMS）和DC/DC转换器。
5. 太阳能逆变器及其他绿色能源相关产品。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP18N06L
