类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　工作频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为65 W（连续波）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：超过60%
　　工作电压：28 V
　　输入驻波比（VSWR）：2:1 最大
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）

QTLP670C-O 是一款先进的LDMOS射频功率晶体管，具有出色的线性度和效率表现，适用于各种高要求的射频功率放大应用。
　　该器件在1.8 GHz至2.7 GHz的频率范围内工作，提供高达65 W的输出功率，并具有20 dB的典型增益，使其非常适合用于多载波通信系统和高数据速率传输场景。
　　其高效率超过60%，有助于减少能耗和散热需求，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　此外，QTLP670C-O采用28 V的工作电压，兼容多种射频功率放大器设计，并具有2:1的最大输入驻波比，确保在不同负载条件下仍能保持稳定性能。
　　器件支持-40°C至+150°C的工作温度范围，适用于各种严苛环境条件下的应用，如户外基站和工业设备。
　　封装采用表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度电路设计，同时提供良好的热管理和射频性能。

QTLP670C-O 主要用于无线通信基础设施，包括4G LTE和5G基站的射频功率放大器设计。
　　该器件也适用于雷达系统、测试设备和工业射频能量应用，如射频加热和等离子体生成。
　　由于其高线性度和效率，QTLP670C-O还被广泛用于广播和专业通信设备中的射频功率放大模块。

QTLP650S, MRF6VP20300, CLF1J0055