时间：2025/8/29 19:36:10
阅读：5
QTLP650C4TR 是一款由安森美半导体（onsemi）推出的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有优良的导通特性和快速开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、马达驱动以及电池供电设备等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为22mΩ（在Vgs=10V）
阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V
漏电流（Idss）：最大10μA（在Vds=60V）
栅极电荷（Qg）：33nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1200pF
QTLP650C4TR 具有低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体性能。
其TO-252（DPAK）封装形式具有良好的热性能，适用于需要高效散热的表面贴装应用。该封装不仅节省空间，还能提高PCB布局的灵活性。
该MOSFET在栅极驱动电压为10V时表现出最佳的导通性能，同时也能够在较低的栅极电压下工作，适应多种电源管理应用需求。此外，其较高的耐压能力（60V Vds）使其适用于中高压电源转换系统。
QTLP650C4TR 在极端温度条件下依然保持稳定的工作性能，适用于工业级和汽车电子等严苛环境中的应用。其低漏电流特性也确保了在关断状态下功耗极低，有利于延长电池供电设备的续航时间。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定，提升系统的可靠性和耐用性。
QTLP650C4TR MOSFET主要应用于各种电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）以及电源分配单元等。
在工业自动化和电机控制领域，该器件可作为高效率开关使用，提升系统响应速度和能效比。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备中，它被广泛用于电源管理模块以实现低功耗设计。
此外，QTLP650C4TR 也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、LED照明驱动、电池保护电路等，满足汽车级应用对可靠性和稳定性的高要求。
由于其优异的热性能和电气性能，该MOSFET也常用于高密度电源模块和紧凑型设计中，帮助工程师实现小型化、轻量化的电源解决方案。
SiSS650DN-T1-GE3, FDS6680, FDD6680, IPPB40N06N3, IPD66R025PFD
