时间：2025/12/29 14:12:30
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QTLP630C3TR 是一款由 Fairchild Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点，适合用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id @25°C：110A
导通电阻 Rds(on) @Vgs=10V：3.3mΩ
导通电阻 Rds(on) @Vgs=4.5V：5.2mΩ
功率耗散 Pd：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：D2PAK
QTLP630C3TR 具有低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流负载下保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。其高栅极电压容限（±20V）增强了在高压瞬态条件下的稳定性。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的热性能和电流处理能力。
此外，QTLP630C3TR 的封装形式为 D2PAK，这是一种表面贴装封装，具有良好的热管理能力，适合用于高功率密度的 PCB 设计。该封装有助于提高焊接可靠性和便于自动化装配。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动系统。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，可在恶劣环境中稳定运行。
QTLP630C3TR 主要应用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统和电机控制电路。此外，它也适用于服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子等高功率需求的场合。
IRF1405, FDP1405, SiS434DK
