QTLP630C-Y是一款由日本东芝公司(Toshiba)制造的红外发光二极管(Infrared Light Emitting Diode, IRED),专为需要高效红外光源的应用设计。该器件采用高辐射强度的砷化镓(GaAs)材料制成,具备优异的光电转换效率和较长的使用寿命。QTLP630C-Y采用标准的4引脚直插式封装,便于安装和使用。其主要用途包括遥控器、光耦合器、红外传感器以及安防系统中的发射端应用。
波长:940nm
正向电压:1.2V @ 20mA
正向电流:100mA(最大)
反向电压:5V
功率耗散:150mW
峰值波长:940nm
辐射强度:50mW/sr @ 20mA
发射角度:±30°
封装类型:4引脚直插式(Lamp Type)
工作温度范围:-25°C ~ +85°C
存储温度范围:-40°C ~ +100°C
QTLP630C-Y红外发光二极管具备多项优良特性,使其适用于多种红外发射场景。首先,其发射波长为940nm,属于近红外波段,适合多数红外接收器的响应范围,且在无可见光干扰的情况下提供高效的红外辐射。该器件采用GaAs材料,具有较高的辐射效率和良好的温度稳定性。
其次,QTLP630C-Y的最大正向电流可达100mA,允许在较高驱动电流下工作,从而提升输出光强。其辐射强度在20mA驱动电流下可达到50mW/sr,确保在低功耗条件下仍能提供足够的红外输出。此外,器件的发射角度为±30°,在保证光束集中度的同时,提供较宽的覆盖范围,适用于需要一定方向性的应用。
该器件采用4引脚直插式封装,具有良好的机械稳定性与焊接性能,便于PCB安装和自动化生产。其工作温度范围为-25°C至+85°C,适应大多数工业环境条件,具备良好的环境耐受性。同时,器件的存储温度范围宽达-40°C至+100°C,增强了其在不同运输和存储条件下的可靠性。
另外,QTLP630C-Y具有较低的正向电压降(1.2V @ 20mA),有助于降低功耗并提高系统能效。反向电压最大为5V,提供一定的反向保护能力,延长使用寿命。整体来看,该红外LED在性能、可靠性及应用灵活性方面均表现出色,适合用于消费电子、工业控制、安防监控等领域的红外发射应用。
QTLP630C-Y广泛应用于需要红外发射功能的各类电子设备中。最常见的用途是作为遥控器中的红外发射器,用于电视、空调、音响等家用电器的无线控制。此外,它也适用于红外通信模块,在短距离数据传输中作为发射端使用,如红外数据交换(IrDA)接口。
在工业自动化领域,QTLP630C-Y可用于光电传感器、光中断器等装置中的发射元件,实现物体检测、计数和位置控制等功能。在安防系统中,该红外LED可用于夜视摄像头的红外补光,提升夜间监控效果。此外,它还可用于光耦合器的设计中,实现电气隔离和信号传输。
由于其优异的性能和稳定的工作特性,QTLP630C-Y也适用于智能照明系统、自动门控、非接触式开关等新兴应用场景。在汽车电子领域,该器件可用于车门遥控、红外感应系统等模块中。
QTLP630C-Y的替代型号包括:Vishay的TSAL6200、Everlight的IR333C-A,并且类似的型号还有Toshiba自家的QTLP630C-G和QTLP630C-B。