时间：2025/8/24 17:11:40
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QTLP611CEB是一款由安森美半导体（onsemi）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于各种高效率电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：11A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.47Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：40W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
QTLP611CEB采用了先进的平面MOSFET技术，提供了优异的开关性能和热稳定性。其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在高压应用中的可靠性和稳定性。TO-220封装设计便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子设备。
该MOSFET还具备良好的抗过载能力和短路保护特性，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达控制器和负载开关等应用场景。其栅极驱动特性较为平滑，有助于减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。
在实际应用中，QTLP611CEB可以替代一些中功率双极型晶体管（BJT），提供更高的效率和更小的体积。此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的设计要求。
QTLP611CEB广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动电路、DC-DC转换器、LED驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及各种工业自动化设备中。由于其高耐压和较高的电流容量，该器件也常用于需要高压侧开关控制的场合。
IRF840、FQP11N60C、STP11NM60ND、TK11A60D、FQA11N60C
