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QTLP600CRTR 发布时间 时间:2025/8/29 17:56:16 查看 阅读:8

QTLP600CRTR 是由安森美半导体(onsemi)推出的一款高效能、低电压N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。封装形式为DFN5,适用于表面贴装,适合高密度PCB设计。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):2.8A(@25℃)
  导通电阻(Rds(on)):180mΩ(@Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):1.2W
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装类型:DFN5
  安装类型:表面贴装

特性

QTLP600CRTR 具有极低的导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,减少了功率损耗并提高了效率。其先进的Trench工艺技术确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。该MOSFET具有良好的热阻特性,能够在高负载条件下保持较低的温升,从而延长器件寿命。此外,其10V的栅极驱动电压兼容多数标准驱动器,便于集成到各种电源管理系统中。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,增强了在瞬态负载或异常条件下的稳定性。DFN5封装设计有助于提高PCB布局的灵活性,减少寄生电感,从而进一步提升开关性能。

应用

QTLP600CRTR 主要用于各类电源管理系统中,包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、LED驱动器、便携式电子设备和工业控制系统。其低导通电阻和高可靠性的特点,使其在要求高效率和紧凑设计的场合中尤为适用。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、车身控制模块和车载信息娱乐系统等。

替代型号

Si2302DS, BSS138, FDS6675, AO3400A

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QTLP600CRTR参数

  • 标准包装1
  • 类别光电元件
  • 家庭LED -
  • 系列-
  • 颜色
  • Millicandela 等级35mcd
  • 正向电压2V
  • 电流 - 测试20mA
  • 波长 - 主624nm
  • 波长 - 峰值630nm
  • 视角100°
  • 透镜类型透明
  • 透镜样式/尺寸矩形,带平顶,1.2mm x 0.8mm
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸1.60mm L x 0.80mm W
  • 高度0.80mm
  • 安装类型表面贴装
  • 包装Digi-Reel®
  • 在特定电流下的光通量 - 测试-
  • 其它名称1080-1403-6