QTLP600CRTR 是由安森美半导体(onsemi)推出的一款高效能、低电压N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。封装形式为DFN5,适用于表面贴装,适合高密度PCB设计。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.8A(@25℃)
导通电阻(Rds(on)):180mΩ(@Vgs=10V)
功率耗散(Pd):1.2W
工作温度范围:-55℃~150℃
封装类型:DFN5
安装类型:表面贴装
QTLP600CRTR 具有极低的导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,减少了功率损耗并提高了效率。其先进的Trench工艺技术确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。该MOSFET具有良好的热阻特性,能够在高负载条件下保持较低的温升,从而延长器件寿命。此外,其10V的栅极驱动电压兼容多数标准驱动器,便于集成到各种电源管理系统中。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,增强了在瞬态负载或异常条件下的稳定性。DFN5封装设计有助于提高PCB布局的灵活性,减少寄生电感,从而进一步提升开关性能。
QTLP600CRTR 主要用于各类电源管理系统中,包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、LED驱动器、便携式电子设备和工业控制系统。其低导通电阻和高可靠性的特点,使其在要求高效率和紧凑设计的场合中尤为适用。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、车身控制模块和车载信息娱乐系统等。
Si2302DS, BSS138, FDS6675, AO3400A