时间：2025/8/29 17:56:16
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QTLP600CRTR 是由安森美半导体（onsemi）推出的一款高效能、低电压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。封装形式为DFN5，适用于表面贴装，适合高密度PCB设计。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2.8A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：180mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：1.2W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：DFN5
安装类型：表面贴装
QTLP600CRTR 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗并提高了效率。其先进的Trench工艺技术确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。该MOSFET具有良好的热阻特性，能够在高负载条件下保持较低的温升，从而延长器件寿命。此外，其10V的栅极驱动电压兼容多数标准驱动器，便于集成到各种电源管理系统中。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态负载或异常条件下的稳定性。DFN5封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，减少寄生电感，从而进一步提升开关性能。
QTLP600CRTR 主要用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED驱动器、便携式电子设备和工业控制系统。其低导通电阻和高可靠性的特点，使其在要求高效率和紧凑设计的场合中尤为适用。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载信息娱乐系统等。
Si2302DS, BSS138, FDS6675, AO3400A
