时间：2025/8/29 20:07:29
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QTLP600CAGTR 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及电机控制等领域。QTLP600CAGTR 采用 DFN5x6 封装，适合表面贴装，提供良好的散热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：120A（@Tc=100°C）
导通电阻 Rds(on)：2.9mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：DFN5x6
安装方式：表面贴装
QTLP600CAGTR 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，这使得它在高功率应用中具有出色的效率表现。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，有效降低了导通损耗，并通过优化的芯片设计提高了热稳定性。此外，其 DFN5x6 封装形式具有较小的封装体积和优良的热传导性能，有助于提高 PCB 布局的紧凑性。
该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具备较强的抗过压能力，同时在高温环境下仍能保持稳定的导通特性。其最大连续漏极电流可达 120A，在高负载条件下也能确保良好的性能。此外，QTLP600CAGTR 的快速开关特性使其适用于高频开关电源和同步整流电路，有助于提升整体系统效率。
从材料和制造工艺来看，该器件符合 RoHS 标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保的要求。其封装材料具有良好的耐热性和机械稳定性，确保在各种工作环境下均能可靠运行。
QTLP600CAGTR 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括服务器电源、通信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于高电流、低电压的电源转换电路，如用于 CPU 或 GPU 供电的 VRM（电压调节模块）电路中。
此外，该器件也可用于电动工具、电动车辆（如滑板车、电动自行车）的电机控制器中，作为主开关或 H 桥结构中的功率开关元件。在工业自动化系统中，可用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动模块，实现对继电器、电磁阀等执行元件的高效控制。
IPB060N15N5, STD120N6F7AG, NTV60N02CLT4G, SiSS54DN
