时间:2025/11/7 21:39:49
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QSZ2 TR是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装齐纳二极管,专为在紧凑型电子设备中提供精确且稳定的电压参考而设计。该器件采用SOD-323(SC-90)小型封装,具有极低的功耗和出色的热稳定性,适用于对空间要求严苛的便携式电子产品。QSZ2 TR系列覆盖了广泛的标称齐纳电压范围,能够满足不同电路设计中对稳压、过压保护和电压箝位的需求。其制造工艺遵循严格的工业标准,确保在各种工作条件下都能保持可靠的性能表现。
作为一款高性能的稳压二极管,QSZ2 TR广泛应用于电源管理模块、信号调理电路、接口保护以及模拟前端设计中。它能够在反向击穿区域稳定工作,维持一个几乎恒定的电压输出,即使输入电流发生较大变化也能保持良好的电压调节能力。此外,该器件具备快速响应特性,能有效抑制瞬态电压波动,提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。
类型:齐纳二极管
封装/外壳:SOD-323(SC-90)
标称齐纳电压(Vz):2.4V 至 75V(具体型号决定)
齐纳电压容差:±5%
最大耗散功率(Ptot):200mW
最大正向电流(If):200mA
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
储存温度范围:-65°C 至 +150°C
热阻(Rth j-a):625 K/W
反向漏电流(Ir):典型值 < 1μA(低于额定电压时)
动态电阻(Zzt):随电压等级变化,典型值在10Ω至500Ω之间
QSZ2 TR齐纳二极管的核心优势在于其高精度与长期稳定性。该器件采用先进的扩散工艺制造,确保了齐纳电压的高度一致性与温度系数优化。在宽温度范围内,其电压漂移极小,适合用于需要长期可靠工作的精密电路中。其±5%的电压容差保证了出厂时的电压精度,避免因器件偏差导致系统校准困难。此外,器件的动态电阻较低,意味着在负载变化或输入波动时仍能维持稳定的输出电压,提升了整体电源质量。
该器件的小型SOD-323封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。其表面贴装结构降低了寄生电感和电阻,有助于提高高频应用中的响应速度。QSZ2 TR具备优异的瞬态响应能力,可在微秒级时间内进入稳压状态,有效抑制电压尖峰和浪涌,保护后级敏感元件。同时,其低反向漏电流特性使其在电池供电设备中尤为适用,显著延长待机时间。
从可靠性角度看,QSZ2 TR通过了AEC-Q101等车规级认证,适用于汽车电子环境下的严苛条件。器件可承受多次热循环和湿度测试,表现出卓越的耐久性。其工作结温高达+150°C,支持高温环境下的持续运行。此外,该系列产品符合RoHS指令,不含铅和其他有害物质,符合现代绿色电子产品的环保要求。综合来看,QSZ2 TR是一款集高性能、高可靠性和环保于一体的先进齐纳二极管解决方案。
QSZ2 TR被广泛应用于多种电子系统中,包括但不限于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源轨稳压;工业控制领域的传感器信号调理与参考电压生成;通信接口(如USB、I2C、SPI)的静电放电(ESD)和过压保护;以及汽车电子中的车载模块电压监控与辅助电源稳压。此外,在开关电源反馈回路中,QSZ2 TR常作为电压采样基准,配合光耦实现隔离式稳压控制。其稳定的电压特性和快速响应能力也使其适用于ADC/DAC参考源、偏置电路及低功耗嵌入式系统的电压箝位设计。由于其封装小巧且易于集成,特别适合高密度PCB布局的应用场景。
BZT52C系列(如BZT52C3V3, BZT52C5V6)
MMSZ4xxx系列(如MMSZ4680, MMSZ5221)
PME360系列
ZMM3V3-ZMM75