时间：2025/7/14 16:46:54
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QSW025A0B41-HZ 是一款由 Vishay（威世科技）制造的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高电流、高效率的应用设计，适用于电源管理和电机控制等领域。这款MOSFET具备低导通电阻和高耐压能力，使其在高负载条件下仍能保持稳定性能。
类型：N沟道
最大漏极电压(Vdss)：25V
最大源极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.8V~3.0V
最大功耗(Pd)：75W
工作温度范围：-55°C~150°C
QSW025A0B41-HZ 具有出色的电性能和热稳定性，其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力。这种MOSFET采用先进的封装技术，使得热量可以更有效地从芯片传递到外部环境，从而延长了使用寿命并提高了可靠性。
此外，该器件具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。其低栅极电荷(Qg)特性进一步优化了高频操作性能，适合用于需要快速响应的应用场景。
机械方面，该MOSFET采用TO-263表面贴装封装，提供了良好的散热能力和空间节省设计，非常适合在紧凑型电路板上使用。
QSW025A0B41-HZ 常用于多种高性能电子设备中，包括但不限于：
- 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
- 同步整流电路
- 电池管理系统（BMS）
- 电动工具和无刷电机控制器
- 服务器和通信设备的电源供应系统
- 车载电子系统及电源管理模块
由于其高电流承载能力和优异的热性能，它特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1404, FDS6680, AUIRF1404S
