时间：2025/9/15 20:33:11
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QSMS-2890-TR1G 是一款由 Diodes 公司推出的高性能射频开关（RF Switch）芯片，广泛应用于无线通信、移动设备、射频前端模块等领域。该器件采用先进的硅工艺制造，具备低插入损耗、高隔离度和优异的线性性能，支持高频段的信号切换操作，适用于多频段射频系统设计。QSMS-2890-TR1G 采用小型化封装，便于集成在紧凑型电路板中。
工作频率：0.7 GHz - 2.7 GHz
插入损耗：典型值0.35 dB（最大0.5 dB）
隔离度：典型值25 dB（最小20 dB）
输入IP3：+68 dBm
VSWR：1.3:1
工作电压：2.5V - 3.6V
控制电压：1.2V - 3.6V兼容
封装类型：TQFN-16
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
QSMS-2890-TR1G 采用先进的硅基射频开关技术，具有极低的插入损耗和优异的隔离性能，适用于高要求的射频切换应用。
其高线性度和优异的IP3性能确保在高功率信号下仍能保持信号完整性，适用于多频段天线切换和射频前端模块设计。
该器件支持宽电压供电范围（2.5V至3.6V），并兼容1.2V至3.6V的数字控制信号，便于与多种控制器或基带处理器接口。
此外，QSMS-2890-TR1G 提供了良好的ESD保护和稳定性，适用于高温环境下的长期运行，确保系统可靠性和耐用性。
其TQFN-16封装形式有助于节省电路空间，适合用于智能手机、无线基础设施、测试设备和射频收发系统等高密度设计场景。
QSMS-2890-TR1G 主要用于多频段射频前端模块，如蜂窝通信系统（GSM、WCDMA、LTE、5G NR）、Wi-Fi 6E、毫米波天线切换、射频测试设备、移动热点和射频功率放大器控制电路。
此外，该芯片也可用于无线基站、射频滤波器切换系统、物联网（IoT）设备以及工业和消费类射频产品中，满足对高频段信号切换的高性能需求。
由于其高线性度和低失真特性，QSMS-2890-TR1G 还适用于需要高信号完整性的测试仪器和通信设备中，作为关键的射频路径控制元件。
PE42641, HMC642, SKY13417, ADG904
