类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）：400A
　　工作温度范围：-50°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）模块
　　短路耐受能力：6μs
　　导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）
　　输入电容（Cies）：约4000pF
　　输出电容（Coes）：约1200pF
　　反向恢复时间（trr）：约1.5μs

QSMN-C124 IGBT模块具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其额定集电极-发射极电压高达1200V，能够承受较高的工作电压，适用于中高压系统。其次，该模块支持高达400A的集电极电流，能够处理大功率负载，适合需要高电流输出的应用场景。
　　此外，QSMN-C124采用了先进的芯片封装技术，提供了良好的热管理和散热性能，能够在-50°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行。这使得它在极端环境条件下也能保持可靠性。
　　该模块还具备较强的短路耐受能力，能够在6μs的时间内承受短路电流，提高了系统的安全性和稳定性。其导通压降约为2.1V，较低的导通损耗有助于提升整体效率。同时，模块的输入电容和输出电容分别为4000pF和1200pF，使其在高频开关应用中表现良好。
　　QSMN-C124还具有较短的反向恢复时间（trr），约为1.5μs，这有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。综合来看，这款IGBT模块是一款高性能、高可靠性的功率器件，广泛适用于各种工业电力电子设备。

QSMN-C124 IGBT模块主要应用于需要高功率、高可靠性和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、电焊机、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及轨道交通设备中的牵引变流器。此外，它也被用于工业加热设备、电动汽车充电系统以及能源管理系统中。由于其出色的电气性能和热稳定性，QSMN-C124在各类高功率应用中都具有优异的表现。

QSMN-C124K, QSMN-C124J, QSMN-C124A