型号：QSH29TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：6.8A
　　导通电阻Rds(on)：29mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：10nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：470pF @ Vds=15V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TSMT6 (SOT-457)
　　安装类型：表面贴装SMD
　　通道数：单通道
　　极性：增强型N沟道

QSH29TR的核心优势在于其低导通电阻与优化的栅极电荷之间的良好折衷，这使得它在高频开关应用中能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体电源效率。其29mΩ的典型Rds(on)在30V耐压等级的MOSFET中处于领先水平，尤其适合用于电池供电设备或对能效要求较高的便携式电子产品。该器件采用了ROHM专有的沟槽结构工艺，提升了单位面积下的载流能力，并有效控制了寄生参数的影响，确保在瞬态负载变化下仍能保持稳定的工作状态。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性与封装散热设计。尽管采用的是小型TSMT6封装，但通过优化芯片布局和内部连接方式，QSH29TR实现了较低的热阻（θja），有助于将工作时产生的热量快速传导至PCB，延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或反向感应电压冲击下维持正常功能，增强了在电机驱动或感性负载切换场景中的鲁棒性。
　　QSH29TR还具备良好的栅极驱动兼容性，可在4.5V至10V的Vgs范围内稳定工作，支持常见的逻辑电平驱动信号，适用于由微控制器直接驱动的应用场合。其较低的栅极阈值电压允许在低电压控制系统中实现快速开启，同时避免因噪声引起的误触发。器件内部结构经过严格筛选和测试，确保批次一致性高，适用于大规模自动化生产环境。所有这些特性共同使QSH29TR成为高性能、小尺寸电源管理解决方案中的理想选择。

QSH29TR广泛应用于多种中低功率电源管理系统中，尤其是在空间受限但对效率要求较高的设备中表现突出。常见应用包括智能手机、平板电脑和其他便携式消费电子产品的DC-DC降压转换器电路，用于实现高效的电压调节与电池管理。在笔记本电脑和超极本的电源模块中，该器件可用于多相同步整流架构中的下管或上管，提供低损耗的开关路径。
　　此外，QSH29TR也适用于工业控制领域的开关电源适配器、LED照明驱动电源以及各类嵌入式电源模块。由于其通过AEC-Q101认证，因此在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载信息娱乐系统的电源管理、车身控制模块（BCM）、电动门窗驱动电路以及车载充电器内的次级侧同步整流单元。在电机控制方面，它可以作为H桥电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，适用于打印机、扫描仪、智能家居执行器等设备。
　　在通信设备中，QSH29TR可用于PoE（以太网供电）终端设备的电源转换环节，帮助实现高集成度和高能效的设计目标。同时，因其具备良好的EMI性能和稳定的开关行为，也被用于各种隔离与非隔离式电源拓扑结构中，如Buck、Boost、Buck-Boost及Flyback变换器的主开关或同步整流元件。总之，凡是需要小型化、高效能N沟道MOSFET的场景，QSH29TR都是一种可靠且成熟的选择。

DMG2906UJ-7
　　SI2333DDS-T1-E3
　　AOZ8826PI