QSC1100 是一款由 Qorvo(前身是安华高 Avago)推出的高功率射频(RF)晶体管,主要用于广播、通信和其他高功率射频应用。该器件采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,具有高效率、高线性度和高可靠性,适用于UHF、VHF、HF等频段的功率放大器设计。QSC1100 在 50V 工作电压下可提供高达1200W的连续波(CW)输出功率,使其成为高功率射频放大器设计中的热门选择。
类型:射频功率晶体管
晶体管类型:N沟道 LDMOS
封装类型:气密封陶瓷封装
工作电压:50V
输出功率(CW):1200W
频率范围:典型用于 1.8MHz 至 600MHz
增益:约 22dB
效率:典型 65%
输入回波损耗:典型 14dB
热阻(结到壳):约 0.15°C/W
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
QSC1100 的核心优势在于其卓越的功率处理能力和高效率,这使得它在高功率射频放大器应用中表现出色。其采用的LDMOS技术在保持高增益的同时,还提供了良好的线性度,这对现代通信系统中减少失真和提高信号质量至关重要。此外,该器件的高热稳定性确保了在高温环境下依然能够稳定运行,增强了系统的可靠性。
QSC1100 的封装设计采用气密封陶瓷结构,提供了优良的机械稳定性和热管理能力,适用于需要长时间连续工作的工业和广播应用。其低热阻特性(0.15°C/W)使得热量可以高效地从芯片传导至散热器,从而避免过热损坏。
在电气性能方面,QSC1100 的输入回波损耗为14dB,表明其输入匹配良好,减少了信号反射带来的损耗。增益约为22dB,使得该器件能够作为末级放大器或驱动级放大器使用,适应多种射频系统架构。其工作频率范围宽广(1.8MHz 至 600MHz),可用于HF、VHF和UHF波段的发射机设计,包括AM、FM广播发射机、电视发射机和软件无线电(SDR)系统。
QSC1100 主要应用于高功率射频发射系统,如AM、FM广播发射机、电视发射机、软件无线电(SDR)、工业射频加热设备以及通信基站中的射频放大模块。其广泛的工作频率范围也使其适用于实验性射频项目和业余无线电设备中的高功率放大器设计。
QSC1100 可以被 Qorvo 的 QSC1110、QSC1120 等后续升级型号替代,也可在某些应用中使用 Freescale 的 MRF6VP20250VS 或 STMicroelectronics 的 STD120N4F7AG 作为替代方案。