时间：2025/9/15 20:12:11
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QSBT-0038-TR1G是一款由Qorvo公司生产的GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），适用于高频、低噪声放大器应用。这款晶体管在射频（RF）和微波频率范围内表现出色，通常用于无线通信、测试设备和雷达系统等高性能电子设备中。QSBT-0038-TR1G采用表面贴装封装技术，具备优良的稳定性和可靠性。
类型：GaAs FET
封装类型：SOT-323
最大漏极电流：100 mA
最大漏极-源极电压：10 V
最大栅极-源极电压：-3.5 V至+3.5 V
工作温度范围：-55°C至+150°C
频率范围：DC至6 GHz
噪声系数：0.45 dB（典型值）
增益：14.5 dB（典型值）
输出功率：20 dBm（典型值）
静态电流：50 mA（典型值）
QSBT-0038-TR1G是一款专为低噪声和高增益应用设计的砷化镓场效应晶体管。其低噪声系数和高增益特性使其在射频前端设计中表现出色，特别适用于需要高灵敏度和低失真的信号放大场景。该器件采用SOT-323小型封装，适合表面贴装工艺，便于集成到紧凑型高频电路中。此外，QSBT-0038-TR1G具备良好的热稳定性和可靠性，在宽温度范围内保持稳定工作性能。其低功耗设计和优良的线性度也使其成为无线基础设施、测试仪器和微波通信设备中的理想选择。
QSBT-0038-TR1G的输入和输出阻抗匹配良好，减少了外部匹配元件的需求，从而降低了设计复杂度并提高了系统的整体稳定性。其在6 GHz频率范围内的良好性能使其适用于多种宽带应用，包括5G通信、Wi-Fi前端模块和高频信号放大器。
QSBT-0038-TR1G主要用于射频和微波领域的低噪声放大器、中继放大器和前置放大器电路中。典型应用包括蜂窝基站、无线接入点、卫星通信设备、雷达接收器和精密测试测量仪器。该晶体管也可用于宽带通信系统、微波传感器和高频信号处理设备。由于其优异的噪声性能和高增益，QSBT-0038-TR1G非常适合用于高灵敏度信号接收前端，如GPS、Wi-Fi 6E和毫米波通信等应用。此外，该器件还可用于工业控制系统、航空航天电子设备以及高频功率放大模块的设计中。
ATF-54143 (Broadcom), MGA-63163 (Broadcom), TGF2003 (TriQuint), BFU520W (NXP)
