QS7202-50P 时间：2025/8/12 15:07:43 阅读：8

QS7202-50P 是一款由Qorvo公司设计的高性能射频功率晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专门用于高功率射频放大器应用。该器件采用先进的硅基LDMOS技术，具备高效率、高增益和良好的热稳定性，适用于无线通信基础设施、广播系统和工业应用中的射频功率放大器设计。

参数

类型：N沟道LDMOSFET
　　工作频率：DC至500MHz
　　最大漏极电压：65V
　　最大栅极电压：+20V至-10V
　　最大连续漏极电流：125A
　　最大耗散功率：375W
　　增益：约26dB（典型值）
　　漏极效率：约70%（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　封装形式：符合RoHS标准的金属陶瓷封装

特性

QS7202-50P 具有出色的射频性能和稳定性，适合在高功率环境下运行。该器件采用先进的LDMOS工艺，具备高线性度和高增益，能够在较宽的频率范围内提供稳定的输出功率。其高效率特性有助于降低功耗，提高系统能效，从而减少散热需求，提高设备的可靠性。
　　此外，该晶体管的输入和输出匹配网络已经优化，简化了设计流程，降低了外围电路的复杂度。其坚固的封装结构和优异的热传导性能，使其能够在高温和高功率条件下长期稳定运行，适用于基站、广播发射机和工业加热设备等要求苛刻的应用场景。

应用

QS7202-50P 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，如蜂窝基站（包括4G LTE和5G NR系统）、广播发射机、工业加热设备和射频测试设备等。由于其在500MHz以下频率范围内具备出色的性能，该器件广泛应用于VHF/UHF通信系统、数字广播系统以及各种需要高线性度和高效率的射频功率放大器设计中。