时间：2025/6/22 14:45:55
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QS6K1TR是一种基于CMOS工艺的低功耗静态随机存取存储器（SRAM），容量为64K x 1位。该芯片具有高可靠性、快速访问时间和低功耗的特点，适用于各种嵌入式系统和工业应用。其设计优化了功耗与性能之间的平衡，能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
工作电压：1.65V - 3.6V
工作电流：10mA（典型值）
待机电流：1μA（最大值）
访问时间：25ns（最大值）
数据保持时间：无限
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSSOP-16
QS6K1TR采用了先进的CMOS技术制造，具有较低的功耗和出色的抗的数据读写操作，访问时间短至25ns，非常适合实时性要求较高的应用场景。
芯片内置了自动省电模式，在没有活动时能够自动进入低功耗待机状态。
此外，QS6K1TR支持标准的同步接口，便于与其他数字逻辑电路进行集成。
芯片的工作温度范围广泛，能够在极端环境下保持稳定的性能表现。
QS6K1TR广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的各种领域。
例如，它可以用于工业控制设备中的临时数据缓冲，确保系统的高效运行。
在通信设备中，QS6K1TR可以用作高速缓存存储器，提高数据传输速度。
此外，它还适用于消费类电子产品，如打印机、扫描仪和数码相机等，作为临时存储介质。
IS61LV6416, CY7C1041V33, AS6C6264
