时间：2025/11/8 6:31:06
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QS6K1FRATR是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench栅极工艺技术制造，专为高效率和高性能电源应用设计。该器件封装在SOP Advance（Surface Mount Package Advanced）小型表面贴装封装中，具有紧凑的尺寸和优良的散热性能，适用于空间受限的便携式设备和高密度电路板布局。其额定电压为60V，连续漏极电流可达6.3A，具备较低的导通电阻和快速开关能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等应用场景。该产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在汽车电子环境中具备良好的稳定性和耐久性。此外，由于采用了背面电极结构设计，该封装能够有效降低热阻，提高功率处理能力和长期运行的可靠性。
型号：QS6K1FRATR
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
封装/包：SOP Advance
通道类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：6.3A @ Ta=25°C
脉冲漏极电流(Idm)：25A
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：27mΩ @ Vgs=10V, Id=3.15A
导通电阻(Rds(on))：33mΩ @ Vgs=4.5V, Id=3.15A
阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：890pF @ Vds=30V
输出电容(Coss)：230pF @ Vds=30V
反向恢复时间(Trr)：19ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C (Tj)
安装类型：表面贴装(SMD/SMT)
引脚数：6
功率耗散(Pd)：2W @ Ta=25°C
QS6K1FRATR采用ROHM独有的Trench MOSFET结构，结合优化的元胞设计与场板技术，在保持高击穿电压的同时显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了整体能效。其低Rds(on)特性使得在大电流条件下功耗更小，有助于减少发热并延长系统寿命。器件具备出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这有利于实现高频操作下的高效能量转换，特别适用于同步整流型DC-DC变换器或负载开关电路。
该MOSFET的SOP Advance封装不仅体积小巧，还集成了增强型散热设计，如裸露焊盘与底部电极连接，可直接焊接至PCB地层以提升热传导效率，确保在高负载下仍能维持较低的结温。这种设计尤其适合需要长时间运行且对热管理要求较高的工业与汽车电子设备。
此外，QS6K1FRATR具有优异的雪崩耐量和抗短路能力，能够在瞬态过压或突发故障条件下提供一定的自我保护机制，增强了系统的鲁棒性。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备高可靠性的绝缘性能，支持长期稳定的开关动作。产品还通过了AEC-Q101认证，满足汽车级应用中的严苛环境测试要求，包括高温反偏、温度循环、湿度敏感度等级评估等，因此广泛应用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动模块及车身控制单元等领域。
QS6K1FRATR广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子产品中。典型用途包括便携式消费类设备中的电源管理系统，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备内的负载开关或电池切换电路；在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关或同步整流管使用，发挥其低导通损耗优势以提升转换效率；在电机驱动应用中用于控制小功率直流电机或步进电机的启停与方向切换，适用于打印机、扫描仪等办公自动化设备。
由于其具备车规级认证，该器件也常被用于汽车电子系统中，如车载摄像头电源、座椅调节电机驱动、车灯调光控制以及传感器供电模块等。此外，在工业控制系统中，QS6K1FRATR可用于PLC输入输出模块、继电器替代方案或智能配电单元，实现固态开关功能以提高响应速度与可靠性。其小型封装特性也使其成为无人机、机器人等新兴领域中高密度电源设计的理想选择。
