类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：170mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：700mA
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值1.1V，最大值2.0V
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：典型值3.2Ω，最大值4.5Ω
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：典型值4.0Ω，最大值6.0Ω
　　输入电容（Ciss）：典型值29pF
　　输出电容（Coss）：典型值17pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值4.5pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值3.5nC
　　功率耗散（PD）@25°C：300mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236AB）
　　安装类型：表面贴装

QS6K1 TR采用高性能沟槽栅结构设计，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而提升了整体开关效率。这种结构使得器件在低栅极驱动电压下仍能实现较低的RDS(on)，特别适合电池供电系统或需要逻辑电平驱动的应用场景。
　　其超低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）确保了快速的开关响应能力，有效减少开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率，尤其适用于高频DC-DC变换器、负载开关和电机控制电路。
　　该器件还具备出色的热性能，在紧凑的SOT-23封装内实现了较高的功率密度。尽管封装尺寸微小，但通过优化芯片布局和封装材料，能够在有限的空间内有效散热，维持稳定的长期运行。
　　内置的栅极保护二极管增强了对静电放电（ESD）的耐受能力，典型HBM ESD额定值可达±2000V，提高了生产过程中对静电敏感器件的可靠性，降低因人为操作或自动化装配导致的失效风险。
　　此外，QS6K1 TR的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，使其不仅适用于消费类电子产品，也可用于工业控制、汽车电子外围电路等较为严苛的环境条件。所有参数均经过严格测试，并提供完整的数据手册支持，便于工程师进行精确的电路仿真与设计验证。

QS6K1 TR因其小型化封装和优良的电气性能，被广泛应用于各类便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，常用于电源路径控制、电池隔离开关和低功耗模式下的负载断开功能。
　　在电源管理系统中，它可用作高端或低端开关，配合控制器实现高效的直流稳压输出，常见于同步整流型降压转换器（Buck Converter）或升压转换器（Boost Converter）中作为辅助开关元件。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路中的电流调节与开关控制，利用其快速响应特性实现精准的亮度调光功能，同时减少发热损失。
　　在信号路由或多路复用应用中，QS6K1 TR可作为模拟开关使用，控制小信号路径的通断，适用于传感器接口、音频通道切换等场景。
　　工业领域中，该MOSFET可用于PLC模块、数据采集系统中的隔离单元，以及各类低功耗继电器替代方案，提升系统的集成度与可靠性。其无铅环保特性也符合当前全球电子产品制造的绿色趋势，适用于出口型产品认证要求。