时间：2025/9/3 19:47:02
阅读：5
QS5Y1 是一款由 Vishay Siliconix 推出的小信号场效应晶体管（FET），属于N沟道增强型MOSFET。这款器件以其低导通电阻、高开关速度和小尺寸封装而著称，适用于广泛的模拟和数字电路设计中。QS5Y1 采用SOT-23封装，便于表面贴装，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：200mA
导通电阻（RDS(on)）：最大5Ω（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：8nC（典型值）
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
QS5Y1 是一款性能稳定的N沟道MOSFET，具备低导通电阻和高开关速度，适合用于开关电路和放大电路。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于便携式电子设备和高密度电路板设计。
这款MOSFET在栅极驱动电压为10V时，导通电阻可低至5Ω，确保了高效的功率传输和较低的功率损耗。此外，该器件的栅极电荷较小，使其在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、负载开关和信号切换等场景。
在可靠性方面，QS5Y1 具有较高的耐压能力，漏源电压可达60V，适用于多种中低压应用。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和汽车电子系统。
QS5Y1 常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、信号切换电路、逻辑控制电路、便携式电子产品以及汽车电子系统中的低功耗控制模块。其SOT-23封装也使其成为高密度PCB设计的理想选择。
2N7002, BSS138, FDN337N, 2N3904
