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QS5U36TR 发布时间 时间:2025/12/25 13:28:07 查看 阅读:15

QS5U36TR是一款由Qorvo公司生产的高性能、低功耗的超快速光耦合器,广泛应用于需要电气隔离和高速信号传输的电子系统中。该器件集成了一个高效率的发光二极管(LED)和一个高灵敏度的光电探测器,通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离。其封装形式为小型表面贴装SOP-4,适用于现代紧凑型电子设备的设计需求。QS5U36TR具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI),能够在高噪声工业环境中稳定工作,确保数据传输的完整性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,满足当前绿色电子制造的要求。由于其高可靠性与稳定性,QS5U36TR常用于电源管理、电机控制、通信接口以及医疗设备等关键应用领域。

参数

型号:QS5U36TR
  制造商:Qorvo
  器件类型:光耦合器 / 光电隔离器
  通道数:1通道
  封装类型:SOP-4
  安装方式:表面贴装(SMD)
  输入正向电流(IF):10 mA
  输入反向电压(VR):5 V
  输出耐压(VISO):3750 VRMS(1分钟,UL1577)
  工作温度范围:-40°C 至 +110°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  最大功耗(PD):150 mW
  响应时间(tpLH / tpHL):典型值75 ns
  电流传输比(CTR):最小50%(IF = 5mA, VCE = 5V)
  共模瞬态抗扰度(CMTI):≥15 kV/μs(典型值)
  隔离电压:3750 VRMS
  数据速率:最高可达1 MBd
  安全认证:UL、cUL、TüV、CSA 认证符合IEC 60747-5-2标准

特性

QS5U36TR光耦合器的核心优势在于其卓越的高速性能与高抗干扰能力。该器件采用先进的光刻工艺和优化的内部结构设计,实现了极短的传播延迟时间(典型值仅为75ns),使其能够支持高达1MBd的数据传输速率,非常适合用于数字隔离、开关电源反馈回路、微控制器接口隔离以及工业现场总线通信等对响应速度要求较高的应用场景。
  其高共模瞬态抗扰度(CMTI ≥15kV/μs)确保在存在强烈电磁干扰或地电位差剧烈变化的环境下仍能保持信号完整性,有效防止误触发或逻辑错误,提升系统的整体可靠性。这一特性特别适用于变频器、伺服驱动器和光伏逆变器等电力电子设备中。
  电流传输比(CTR)表现优异,在标准测试条件下最小值达到50%,意味着较低的输入驱动电流即可获得足够的输出信号强度,从而降低前级电路的负载压力并提高能效。同时,宽泛的工作温度范围(-40°C至+110°C)使其可在极端环境条件下稳定运行,增强了产品的环境适应性。
  QS5U36TR还具备良好的长期稳定性和老化特性,LED与光电探测器之间的光学耦合经过精密匹配,确保在整个生命周期内性能衰减最小。其SOP-4封装不仅节省PCB空间,而且具有优良的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。此外,产品通过多项国际安全认证(如UL、cUL、TüV等),符合IEC/EN/DIN EN 60747-5-2隔离标准,适用于需要功能安全认证的工业控制系统。

应用

QS5U36TR广泛应用于需要电气隔离和高速信号传输的各种电子系统中。在工业自动化领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、I/O模块和现场总线隔离接口,实现控制器与执行机构之间的安全信号传递。在电源管理系统中,该器件可用于AC-DC、DC-DC转换器的反馈环路,提供稳定的电压调节和过载保护机制,同时隔离高压侧与低压控制电路,保障操作人员安全。
  在电机驱动和变频器设备中,QS5U36TR用于隔离PWM控制信号,防止功率级的高压噪声影响微处理器正常工作,提升系统抗干扰能力和运行稳定性。其高CMTI特性在此类应用中尤为重要。此外,该器件也适用于医疗电子设备中的信号隔离环节,因其具备高绝缘强度和低漏电流特性,能满足医疗设备对电气安全的严格要求。
  在通信系统中,QS5U36TR可用于RS-485、CAN总线等差分通信接口的隔离设计,消除地环路干扰,延长通信距离并提高可靠性。新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中,该光耦同样发挥着关键作用,用于隔离检测电路与主控单元,确保系统在复杂电磁环境下稳定运行。总之,凡涉及高低压隔离、噪声抑制和高速信号传输的场合,QS5U36TR都是一个可靠的选择。

替代型号

HCPL-0723
  6N136
  TLP2368
  EL206
  PC906V

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QS5U36TR参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C81 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nc @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
  • 供应商设备封装TSMT5
  • 包装带卷 (TR)