QS1B02RAE 时间：2025/4/28 10:44:12 阅读：3

QS1B02RAE是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
　　这款MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于要求高效能和低损耗的场景。其出色的热性能和电气性能使其在工业控制、消费电子以及汽车电子领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：24A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：38nC
　　开关时间：ton=15ns, toff=12ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代电力电子设备的需求。
　　3. 高击穿电压设计增强了器件的鲁棒性，能够在严苛环境下稳定运行。
　　4. 小型化的封装选项降低了PCB占用空间，简化了系统设计。
　　5. 出色的热稳定性确保了长期使用中的可靠性和一致性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。