QRN5RL23AA--G 时间：2025/12/28 5:30:53 阅读：9

QRN5RL23AA--G 是一款由 Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，广泛应用于便携式电子设备、电源管理单元以及负载开关电路中。该 MOSFET 采用紧凑型封装（如超小型封装），适合对空间要求极为严格的 PCB 布局。QRN5RL23AA--G 具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关响应和良好的热稳定性，能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流处理能力。该器件符合 RoHS 环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，适用于绿色电子产品制造。其栅极阈值电压较低，便于与低压逻辑信号（如 1.8V 或 3.3V 控制系统）直接接口，从而简化驱动电路设计。此外，该 MOSFET 在关断状态下具有极低的漏电流，有助于延长电池供电设备的待机时间。

参数

型号：QRN5RL23AA--G
　　通道类型：N 沟道
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.4 A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：17.6 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：30 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5V：45 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) typ @ VGS = 1.8V：60 mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：0.45 V ~ 0.85 V
　　输入电容（Ciss）：通常为 430 pF
　　输出电容（Coss）：通常为 190 pF
　　反向传输电容（Crss）：通常为 40 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约 3.5 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 5.5 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN1010 (1.0mm x 1.0mm)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

QRN5RL23AA--G 具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势之一是极低的导通电阻，在 VGS = 4.5V 条件下 RDS(on) 最大仅为 30mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。在电池供电的应用中，这种低损耗特性可有效延长续航时间。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，例如在 VGS = 1.8V 时，典型 RDS(on) 为 60mΩ，使其非常适合用于现代低电压微控制器或基带处理器直接驱动的场合，无需额外的电平转换或驱动 IC，从而节省 BOM 成本并减少电路复杂度。
　　另一个关键特性是其优异的开关速度。得益于较小的输入和输出电容（Ciss=430pF, Coss=190pF）以及低 Crss 值，QRN5RL23AA--G 能够实现快速的开启和关断响应，开启延迟时间约为 3.5ns，关断延迟时间约为 5.5ns。这一特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器中的同步整流或负载开关控制，有助于减小外部滤波元件尺寸并提升瞬态响应能力。此外，该器件采用 DFN1010 小尺寸封装，底面带有散热焊盘，可通过 PCB 散热路径高效导出热量，增强了热稳定性。
　　QRN5RL23AA--G 还具备良好的抗冲击能力和长期稳定性。其最大漏极电流可达 4.4A 连续，脉冲电流高达 17.6A，适用于短时高负载场景。栅源电压容限为 ±12V，提供了足够的安全裕量，防止因电压波动导致器件损坏。工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，确保其在严苛环境条件下仍能可靠运行。同时，该器件通过了 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于汽车电子等高可靠性要求领域。综合来看，QRN5RL23AA--G 凭借低 RDS(on)、高速开关、小尺寸封装和宽温工作能力，成为高性能、小型化电源管理设计的理想选择。

应用

QRN5RL23AA--G 主要应用于需要高集成度和高效率的小型电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表和健身追踪器）中的电源开关和负载管理模块。在这些设备中，它常被用作电池与子系统之间的开关，实现按需供电以降低待机功耗。此外，该器件也广泛用于各类 DC-DC 降压或升压转换器中作为同步整流开关，替代传统二极管以提高转换效率。
　　在便携式医疗设备、物联网传感器节点和无线通信模块中，QRN5RL23AA--G 的低静态功耗和快速响应能力有助于实现节能运行和即时唤醒功能。其低电压驱动特性使其能够直接由微控制器 GPIO 引脚控制，因此常见于 GPIO 驱动的 LED 背光控制、电机启停控制或外设电源使能电路中。在笔记本电脑和平板的电源管理系统中，该 MOSFET 可用于多路电源轨的顺序上电控制或热插拔保护电路。
　　由于其小尺寸封装和高电流密度，QRN5RL23AA--G 特别适合用于空间受限的高密度 PCB 设计，如 TWS 耳机充电仓、微型摄像头模组或无人机飞控板等。此外，其良好的热性能也使其适用于工业级小型电源模块或嵌入式控制系统中的信号切换与隔离应用。总体而言，凡是要求低功耗、小体积、高可靠性的 N 沟道 MOSFET 应用场景，QRN5RL23AA--G 均具备较强的竞争力。