QRF830 时间：2025/8/7 14:20:28 阅读：14

QRF830是一款广泛应用于射频（RF）和微波系统中的高性能射频功率晶体管，由Qorvo公司生产。该器件基于GaN（氮化镓）技术，适用于各种高功率射频放大器设计，如通信基站、雷达、测试设备和工业应用。QRF830的工作频率范围覆盖了UHF到微波波段，具有出色的输出功率、效率和热性能，使其成为许多高性能射频系统中的首选器件。

参数

工作频率范围：2.7 GHz至3.5 GHz
　　输出功率：典型值为650 W（脉冲模式）
　　增益：14 dB（典型值）
　　漏极效率：超过65%
　　供电电压：典型值为50 V
　　封装类型：工业级陶瓷封装
　　热阻：Rth < 0.25°C/W
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.0:1
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

QRF830采用先进的GaN-on-SiC技术制造，提供了卓越的功率密度和热管理能力，这使得器件能够在高功率水平下长时间稳定运行。该晶体管具有宽带宽特性，适用于多频段或多应用设计。此外，QRF830的高效率表现使其在运行过程中消耗的直流功率较低，从而降低了散热需求，提高了系统整体的能效。
　　QRF830在脉冲模式下表现出色，适用于雷达和测试设备等需要高峰值功率输出的应用。其高线性度也使其适用于需要低失真的通信系统。此外，该器件具有较高的抗失真能力和良好的稳定性，即使在极端工作条件下也能保持一致的性能。
　　为了提高系统的可靠性，QRF830在设计上考虑了高耐用性和热稳定性。它能够在较高的温度环境下运行，并且具有良好的抗过载能力，能够在短时间内承受高电压驻波比（VSWR）条件下的工作压力。