时间：2025/8/7 4:51:56
阅读：22
QRD0620T30是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用设计，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性。QRD0620T30采用先进的Trench沟槽技术，能够在高频率和高负载条件下提供出色的性能。该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
QRD0620T30的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；其60V的漏源电压能力使其适用于中高压电源应用。该器件的Trench沟槽结构优化了导通特性和开关速度，使其在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗。
此外，QRD0620T30具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持良好的性能，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适合在汽车电子系统中使用。其TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和焊接。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，确保在极端工作条件下的可靠性和稳定性。这些特性使其成为工业电源、消费类电子产品和汽车电子系统的理想选择。
QRD0620T30广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。由于其具备良好的导通特性和热管理能力，该器件也常用于高效率的电源适配器、LED照明驱动器和电池管理系统。
在汽车电子领域，QRD0620T30可用于车载充电系统、车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及车载信息娱乐系统（IVI）等应用。此外，该MOSFET还适用于工业自动化设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器和储能系统等高性能电源管理场景。
SiR686DP-T1-GE3, FDS6680, IPD60R1K4PFD
