QR806D 时间：2025/8/15 0:39:54 阅读：5

QR806D是一款由国产厂商推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动、LED照明等高功率场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压、高可靠性等优点，适用于各种中高功率电子设备中的开关控制。QR806D通常采用TO-252或TO-263等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）、TO-263（D2PAK）

特性

QR806D具有多项优异的电气性能和物理特性，使其在多种应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备高耐压能力，漏源电压可达60V，适用于多种中压应用场景。QR806D的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容主流MOSFET驱动IC。
　　在热管理方面，QR806D采用高效的散热封装设计，能够在高电流负载下保持良好的热稳定性，减少因温度升高导致的性能下降。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
　　QR806D还具有快速开关特性，开关损耗低，适用于高频开关电源、DC-DC转换器等对效率和响应速度有要求的应用。其内部结构优化设计，有效减少了寄生电容，提高了高频性能，适用于高频率PWM控制电路。

应用

QR806D广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、LED恒流驱动电源、电动车控制器、电池管理系统（BMS）等。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于需要高效能、高可靠性的电源系统中。此外，在工业自动化控制、通信电源、UPS不间断电源等领域也有广泛应用。