类型：射频功率晶体管
　　技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　封装类型：表面贴装（SMD）或法兰封装（具体视数据手册而定）
　　频率范围：典型工作频率范围为 1 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：在2.7 GHz时可达10 W（典型值）
　　增益：典型增益约为 14 dB（在2.7 GHz）
　　效率：典型漏极效率（Drain Efficiency）约 40%
　　工作电压：典型漏极电压为 28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

QPX0001SR 的核心特性之一是其基于 GaN（氮化镓）材料的 HEMT 结构，这使其在高频下仍能保持高效率和高功率输出。此外，该晶体管具备优异的热管理和可靠性设计，可在高功率密度条件下长时间稳定工作。QPX0001SR 还具有良好的线性度，适合用于需要高信号保真的应用，如4G/5G基站、无线本地环路和射频加热系统。
　　该器件的封装设计考虑了散热性能，通常采用高导热系数的陶瓷封装，确保在高功率操作时的热稳定性。此外，QPX0001SR 的输入和输出匹配网络已经内部优化，减少了外围电路的复杂性，降低了设计难度。
　　QPX0001SR 的另一个显著特点是其宽频带性能，使其在多种射频系统中具有良好的通用性和灵活性。此外，该晶体管在脉冲操作模式下表现优异，适用于雷达和测试仪器等需要高脉冲功率的应用场景。

QPX0001SR 主要用于以下类型的射频系统中：无线通信基础设施（如宏基站、微基站和远程无线电头端）、工业和医疗射频设备（如射频加热、等离子体发生器）、测试和测量仪器、广播设备（如调频和数字音频广播发射机）、以及军用和航空航天系统中的射频放大模块。由于其高频性能和高可靠性，QPX0001SR 特别适用于需要在复杂电磁环境中稳定运行的高端射频应用。

QPD0010、CMD199、GPA-063SM+