类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：4.9A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TDFN（3.3mm x 3.3mm）
　　功率耗散（PD）：2.1W
　　输入电容（Ciss）：490pF（典型值，VDS=15V）

QPQ4900TR7 MOSFET 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为 17mΩ，能够在高电流负载下实现较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。这在需要持续高电流输出的应用中尤为重要，例如 DC-DC 转换器或负载开关电路。
　　其次，该器件采用 TDFN 封装，尺寸小巧，适合高密度 PCB 布局，同时具有良好的散热性能。这种封装形式在小型化和高效散热需求的应用中具有明显优势，如便携式电子产品、电池管理系统和电机驱动电路。
　　此外，QPQ4900TR7 的最大漏极电流为 4.9A，在 VGS=10V 条件下可以稳定工作，适用于多种中等功率开关应用。其输入电容仅为 490pF，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适合高频开关操作。栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 20V），可兼容多种驱动电路设计，例如由微控制器、驱动 IC 或分立元件构成的驱动电路。
　　该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的温度适应性和稳定性，可在恶劣环境下可靠运行。这种宽温度范围特性使其适用于工业控制、汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。

QPQ4900TR7 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效能、小尺寸和良好热管理的场景。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、马达驱动器、电源管理模块以及各类便携式设备中的功率开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源转换设备的理想选择，同时其小型封装也适合空间受限的设计。此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化设备、LED 照明控制系统和消费类电子产品中的功率控制模块。

Si2302DS, AO4406A, FDS6675, IRF7309