类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极-基极电压：50 V
　　最大功耗：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积：100 MHz
　　电流增益（hFE）：在2 mA时为70至300
　　封装类型：SOT-223

QPQ1904TR13晶体管具备优异的高频性能，适用于射频和中功率放大器应用。其NPN结构允许较高的电流增益，并且在高频条件下仍能保持良好的稳定性。此外，该器件的SOT-223封装形式有助于提高散热效率，从而增强器件在高功率条件下的可靠性。
　　这款晶体管的工作温度范围较宽，能够在-55°C至150°C的环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。QPQ1904TR13还具备较高的集电极-发射极击穿电压（30V），使其能够在较高的电压条件下工作而不发生击穿现象。
　　该晶体管的增益带宽积为100MHz，这意味着它可以在较高频率下提供足够的增益，适合用于射频信号放大和调制电路。同时，其电流增益（hFE）在2mA时为70至300，提供了较大的灵活性，以适应不同的电路设计需求。

QPQ1904TR13广泛应用于射频放大器、中功率放大器、音频放大器和开关电路。其高频性能使其成为射频通信系统中理想的信号放大元件。此外，该晶体管还适用于需要较高功率处理能力的电路设计，例如汽车音响系统和工业控制设备。
　　在射频应用中，QPQ1904TR13可用于构建低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，以提高信号的传输质量。在音频放大应用中，该晶体管能够提供较高的增益和较低的失真，从而提升音频系统的整体性能。此外，由于其较高的击穿电压和良好的散热性能，QPQ1904TR13也适用于开关电路，尤其是在需要较高开关速度的应用中。

2N3904, BC547, PN2222