类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V至2.5V（在ID=250μA）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：DFN5x6

QPQ1281的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，使得在相同的封装尺寸下，能够实现更高的电流处理能力和更低的导通电阻。此外，QPQ1281的高电流承载能力（可达120A）使其适用于高功率密度的设计，例如服务器电源、通信设备、工业控制以及电动工具等应用。
　　另一个显著的特性是其宽泛的栅极电压范围（±20V），这意味着QPQ1281可以在较宽的驱动电压范围内稳定工作，提高了其在不同电路设计中的适应性。同时，该器件的阈值电压较低（1.0V至2.5V），使得其能够被标准的逻辑电平驱动器直接控制，简化了驱动电路的设计。
　　QPQ1281还具备良好的热稳定性和抗过载能力。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。此外，QPQ1281的快速开关特性减少了开关损耗，有助于提升高频应用中的效率，例如DC-DC转换器和同步整流器等电路。

QPQ1281广泛应用于各类高功率密度和高效率的电源管理系统中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及服务器和通信设备的电源模块中。
　　在服务器和数据中心的电源系统中，QPQ1281可以作为同步整流器使用，以提高转换效率并减少发热。在便携式设备和电动工具中，QPQ1281可用于电池保护电路，作为高侧或低侧开关，实现对负载的快速切断和保护。
　　此外，该器件也可用于工业自动化控制系统中的功率开关，例如PLC（可编程逻辑控制器）输出模块、继电器替代电路以及智能功率分配系统。由于其良好的热稳定性和快速响应能力，QPQ1281能够在复杂的工作环境中保持稳定的性能，满足工业级应用的需求。

SiR142DP, FDS4410, IPB013N04NG