工作频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：60 W（典型值）
　　效率：60%（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　输入和输出阻抗：50Ω

QPD2160D 的主要特性之一是其在高功率水平下的高效率表现，这有助于降低功耗并提高系统的整体能效。该器件的高增益特性使其在放大器设计中具有出色的信号放大能力，减少了对额外放大级的需求。此外，QPD2160D 采用了Qorvo的高可靠性GaAs技术，确保了在严苛环境条件下的稳定性和耐用性。
　　另一个关键特性是其优异的线性度，这对于需要高信号保真度的应用（如蜂窝通信和宽带无线系统）至关重要。QPD2160D 在高功率输出下仍能保持良好的信号完整性，减少了信号失真并提高了通信质量。
　　此外，QPD2160D 设计为表面贴装封装，便于自动化生产和简化电路板布局，同时具有良好的热管理和散热性能，以确保在高功率工作时的可靠性。

QPD2160D 主要用于无线通信基础设施中的高功率放大器设计，包括蜂窝基站、WiMAX基站、无线回传系统和工业控制设备。它还适用于需要高功率、高效率和高线性度的其他射频应用，例如测试设备、广播系统和军事通信设备。由于其优异的性能和稳定性，QPD2160D 也广泛应用于需要高可靠性的工业和商业射频系统中。

QPD2160D 的替代型号包括 QPD2160 和其他类似的高功率 GaAs FET 器件，如 Cree 的 CGH40060 和 Freescale 的 MRFE6VP61K25H。