类型：射频功率晶体管
　　技术：GaN（氮化镓）
　　频率范围：DC 至 4 GHz
　　输出功率：60 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　工作频率：最高 4 GHz
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：>60%
　　封装类型：16 引脚表面贴装（SMT）
　　输入阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

QPD2060D 采用先进的 GaN-on-SiC 技术，提供了卓越的功率密度和热管理能力，使其能够在高温环境下稳定工作。该器件具有宽频率响应，适用于从 DC 到 4 GHz 的广泛射频应用。其高增益和高效率特性使其成为高功率射频放大器的理想选择。
　　QPD2060D 具有良好的线性度和失真性能，支持现代通信系统中高数据速率信号的放大。此外，其高击穿电压（65 V）使其在高功率应用中具有更高的可靠性和耐用性。器件内部集成了输入匹配网络，减少了外部元件数量，简化了设计流程。
　　该晶体管支持多种调制格式，包括 OFDM、QAM 和 CDMA，适用于 4G/5G 基站、军事通信设备、雷达和工业测试仪器等应用。由于其优异的热稳定性，QPD2060D 可在高功率连续波（CW）或脉冲模式下运行，适应多种工作条件。

QPD2060D 主要用于需要高功率、高效率和宽带宽的射频功率放大器设计。典型应用包括蜂窝基站、宽带通信系统、雷达发射器、射频测试设备以及工业和医疗射频设备。该器件适用于多种无线通信标准，如 LTE、WiMAX、5G NR 等，能够满足现代通信系统对高数据吞吐量和高信号完整性的要求。
　　此外，QPD2060D 还可用于军事和航空航天领域的高可靠性射频系统，例如战术通信设备、电子战系统和卫星通信系统。其优异的功率处理能力和宽频率响应特性，使其在复杂电磁环境中依然保持稳定的工作性能。
　　在测试和测量设备中，QPD2060D 可作为信号发生器或功率放大模块，用于验证和校准其他射频组件。由于其高稳定性和可重复性，适合在实验室和现场测试环境中使用。

CGH40060, LDMOS FET 类似型号如 MRF6S27045CLS、MRF6S27045NR1