QPD1013SR 时间：2025/8/15 14:33:07 阅读：24

QPD1013SR是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用了先进的工艺技术，具有优异的导通特性和低损耗性能，适用于高效率的电源设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

特性

QPD1013SR具有低导通电阻的特点，能够在高电流条件下保持较低的导通压降，从而减少功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适用于各种恶劣的工业环境。其高耐压能力使其在多种电源转换器和DC-DC转换器中表现出色。QPD1013SR还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，降低了开关损耗并提高了系统的响应速度。该器件的封装形式为TO-252，便于安装和散热管理，适用于表面贴装技术（SMT），简化了PCB设计并提高了制造效率。
　　在可靠性方面，QPD1013SR经过严格的质量控制测试，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的功率控制应用。其封装材料符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计要求。