时间：2025/8/15 19:06:00
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QPD1013 是一款由 Qorvo 公司生产的高性能射频功率晶体管（RF Power Transistor），采用 GaN（氮化镓）技术制造，适用于高频、高功率应用。该器件主要面向通信基础设施、雷达系统、工业设备等需要高效率和高线性度的射频功率放大场景。QPD1013 提供了宽频率范围、高增益和出色的热管理能力，是现代射频系统中理想的功率放大解决方案。
频率范围：1.8 GHz - 2.4 GHz
输出功率：典型值 65 W（连续波）
增益：> 20 dB
漏极效率：> 60%
工作电压：典型值 28 V
输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
QPD1013 采用先进的 GaN-on-SiC 技术，具有出色的热稳定性和高功率密度，能够在高温环境下稳定运行。
其高增益特性减少了前级放大器的设计复杂度，同时提升了整体系统的效率。
器件设计支持宽带操作，适用于多种射频应用，如 LTE 基站、WiMAX、雷达发射机等。
此外，QPD1013 具有良好的线性度和失真性能，适合需要高信号完整性的通信系统。
封装设计优化了散热性能，便于集成到紧凑的电路布局中，并支持高效的热量管理。
该器件还具备良好的抗失配能力和过热保护特性，提高了系统的可靠性和寿命。
QPD1013 主要用于无线通信基础设施，如 4G/5G 宏基站和小型基站中的射频功率放大器模块。
它也适用于雷达系统、工业加热设备、医疗成像设备以及测试和测量仪器中的射频功率放大环节。
此外，该晶体管可用于宽带无线接入系统和卫星通信系统，提供高效的射频能量传输能力。
在军事和航空航天领域，QPD1013 可用于战术通信设备和高可靠性雷达发射机的设计。
由于其高效率和高线性度的特点，该器件在需要高功率密度和低功耗的场景中表现出色。
QPD1005, QPD1011, CGH40010F, CGH40025F
