类型：GaN HEMT
　　封装类型：表面贴装
　　最大漏极电流：20 A
　　工作频率：2.0 GHz
　　漏极-源极击穿电压：65 V
　　输出功率：典型值 150 W（在2.0 GHz）
　　增益：典型值 14 dB（在2.0 GHz）
　　效率：典型值 65%（在2.0 GHz）
　　热阻：结到壳热阻 0.25°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

QPC8020QTR13 的 GaN 技术赋予了它出色的高频性能和高功率处理能力，使其成为许多高性能射频应用的理想选择。其高击穿电压允许器件在高电压条件下运行，从而提高输出功率和效率。此外，该晶体管的高热导率封装设计有助于有效散热，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。QPC8020QTR13 还具有高线性度和低失真特性，适合用于要求严格的通信系统和雷达系统。这种器件的紧凑封装也使其非常适合在空间受限的应用中使用。
　　QPC8020QTR13 的另一个显著特性是其出色的耐用性和热稳定性。由于采用了先进的 GaN-on-SiC（碳化硅）基板技术，该晶体管能够在极端温度和高功率条件下保持稳定的性能。这使得它在恶劣环境中仍能保持高可靠性，适用于军事、航空航天以及工业级应用。同时，该器件的低热阻特性使其能够快速散热，防止因过热而导致的性能下降或损坏。此外，QPC8020QTR13 的高增益和高效率特性使其在基站放大器和射频能量应用中表现出色，能够有效降低系统功耗并提高整体性能。

QPC8020QTR13 主要用于高频、高功率射频系统，如蜂窝基站功率放大器、雷达系统、测试与测量设备、工业射频加热设备以及宽带无线通信系统。它还适用于需要高效率和高线性度的射频功率放大器设计。

QPD1013、CGH40025、GaN0405A