QPC8015QTR13-10K 是一款由 Qorvo 公司设计的高性能射频(RF)晶体管,属于 GaAs(砷化镓)异质结双极晶体管(HBT)技术。这款晶体管专门用于高频和高功率应用,适用于无线基础设施、通信设备以及测试仪器等领域。QPC8015QTR13-10K 具有良好的线性度和效率,能够在高频条件下提供稳定的性能。它通常用于功率放大器、射频放大器和射频开关电路中,是许多射频系统设计的重要组件。
晶体管类型:GaAs HBT
工作频率:最高可达 1 GHz
最大集电极电流:150 mA
最大集电极-发射极电压:10 V
增益:约 12 dB
输出功率:约 20 dBm
噪声系数:约 1.5 dB
封装类型:SOT-89
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
QPC8015QTR13-10K 是一款基于 GaAs HBT 技术的射频晶体管,具有多项显著特性。其高增益性能(约 12 dB)使其在射频放大应用中表现出色,能够有效地放大高频信号。该晶体管的最大集电极电流为 150 mA,集电极-发射极电压为 10 V,能够在较高的功率条件下稳定运行。
此外,QPC8015QTR13-10K 具有良好的噪声性能,噪声系数约为 1.5 dB,这使其在低噪声放大器设计中也非常有用。其输出功率约为 20 dBm,适合用于中等功率的射频系统。该器件的工作频率范围可以达到 1 GHz,因此在许多无线通信和射频应用中都具有广泛的适用性。
QPC8015QTR13-10K 主要应用于射频和无线通信系统中的放大器电路。由于其高增益和低噪声特性,该晶体管广泛用于射频接收器和发射器中的前置放大器和驱动放大器。它也常用于无线基础设施设备,如基站和中继器,以提高信号的传输质量和覆盖范围。
QPC8015QTR13-10K 可以被 QPC8015QTR13 和 QPC8015QTR13-10 等型号替代。