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QPC8013QTR13 发布时间 时间:2025/8/15 15:22:21 查看 阅读:28

QPC8013QTR13 是一款由Qorvo公司生产的高性能射频功率晶体管(RF Power Transistor),主要用于无线通信系统中的功率放大器应用。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)技术制造,适用于高频、高线性度的射频应用。QPC8013QTR13封装形式为表面贴装(Surface Mount),适合现代高频电路设计的需求,具备良好的热稳定性和机械可靠性。它广泛应用于蜂窝基站、Wi-Fi基础设施、工业控制和测试设备等场景。

参数

类型:射频功率晶体管
  工艺技术:GaAs(砷化镓)
  封装类型:表面贴装
  工作频率范围:2.3 GHz - 2.7 GHz
  输出功率(Pout):13 W(典型值)
  增益:约18 dB
  效率(PAE):约40%
  漏极电流(Id):最大1.5 A
  漏极电压(Vd):最大28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

QPC8013QTR13 是一款专为高线性度和高效率设计的射频功率晶体管,采用先进的GaAs FET技术,能够在2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围内提供高达13 W的输出功率。该器件具有较高的功率附加效率(PAE),典型值为40%,这有助于降低系统功耗并提高整体能效。此外,QPC8013QTR13 的增益表现优异,约为18 dB,能够有效减少多级放大器设计中的级数需求,从而简化系统设计。
  该晶体管采用表面贴装封装,具有良好的热管理能力,能够在高功率输出下保持稳定的工作温度。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应各种严苛的工业和通信环境应用要求。
  QPC8013QTR13 还具备良好的抗失真性能,特别适用于需要高线性度的数字通信系统,如Wi-Fi 6、5G基础设施和小型基站等应用场景。此外,该器件具有良好的输入和输出匹配特性,减少了外围匹配电路的设计复杂度,提高了系统集成度和可靠性。

应用

QPC8013QTR13 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块,适用于2.3 GHz至2.7 GHz频段的各类应用。它广泛应用于Wi-Fi 6接入点、5G小型基站、分布式天线系统(DAS)、工业自动化设备、测试与测量仪器以及广播和通信设备中的射频功率放大环节。
  由于其高线性度和高效率特性,QPC8013QTR13 非常适合用于需要低失真和高稳定性的数字调制系统。此外,其表面贴装封装形式使其适用于自动化装配流程,提高生产效率并降低制造成本。

替代型号

QPC8013QTR13 的替代型号包括Qorvo的QPC8014QTR13(输出功率更高)以及类似频段的RF功率晶体管,如Qorvo的T2G6000528Q和M/A-COM的MRF151G。

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