QPC8013QTR13 时间：2025/8/15 15:22:21 阅读：31

QPC8013QTR13 是一款由Qorvo公司生产的高性能射频功率晶体管（RF Power Transistor），主要用于无线通信系统中的功率放大器应用。该器件采用先进的GaAs（砷化镓）技术制造，适用于高频、高线性度的射频应用。QPC8013QTR13封装形式为表面贴装（Surface Mount），适合现代高频电路设计的需求，具备良好的热稳定性和机械可靠性。它广泛应用于蜂窝基站、Wi-Fi基础设施、工业控制和测试设备等场景。

参数

类型：射频功率晶体管
　　工艺技术：GaAs（砷化镓）
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率（Pout）：13 W（典型值）
　　增益：约18 dB
　　效率（PAE）：约40%
　　漏极电流（Id）：最大1.5 A
　　漏极电压（Vd）：最大28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

QPC8013QTR13 是一款专为高线性度和高效率设计的射频功率晶体管，采用先进的GaAs FET技术，能够在2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围内提供高达13 W的输出功率。该器件具有较高的功率附加效率（PAE），典型值为40%，这有助于降低系统功耗并提高整体能效。此外，QPC8013QTR13 的增益表现优异，约为18 dB，能够有效减少多级放大器设计中的级数需求，从而简化系统设计。
　　该晶体管采用表面贴装封装，具有良好的热管理能力，能够在高功率输出下保持稳定的工作温度。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛的工业和通信环境应用要求。
　　QPC8013QTR13 还具备良好的抗失真性能，特别适用于需要高线性度的数字通信系统，如Wi-Fi 6、5G基础设施和小型基站等应用场景。此外，该器件具有良好的输入和输出匹配特性，减少了外围匹配电路的设计复杂度，提高了系统集成度和可靠性。

应用

QPC8013QTR13 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，适用于2.3 GHz至2.7 GHz频段的各类应用。它广泛应用于Wi-Fi 6接入点、5G小型基站、分布式天线系统（DAS）、工业自动化设备、测试与测量仪器以及广播和通信设备中的射频功率放大环节。
　　由于其高线性度和高效率特性，QPC8013QTR13 非常适合用于需要低失真和高稳定性的数字调制系统。此外，其表面贴装封装形式使其适用于自动化装配流程，提高生产效率并降低制造成本。