类型：射频功率晶体管
　　工艺：GaAs FET
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率范围：2 GHz至4 GHz
　　输出功率：典型值为85 W（在3.5 GHz）
　　增益：典型值为12 dB（在3.5 GHz）
　　效率：典型值为45%
　　工作电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　输入和输出阻抗：50 Ω

QPC6082TR7是一款高线性度和高效率的射频功率晶体管，适用于多种高频高功率应用场景。该器件在2 GHz至4 GHz的频率范围内工作，能够提供高达85 W的输出功率，适合用于无线通信基站中的功率放大模块。其高增益特性（12 dB）使得该晶体管在系统设计中减少了对前级放大器的需求，从而简化了整体电路架构。
　　此外，QPC6082TR7具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的环境条件下长期运行。其表面贴装封装设计不仅节省了空间，还提高了制造过程中的自动化程度和生产效率。该器件的输入和输出阻抗匹配为50 Ω，便于与常见的射频系统进行集成，降低了设计复杂性。
　　QPC6082TR7的高效率（45%）有助于降低功耗和散热需求，从而提升系统的能效和稳定性。这一特性对于需要长时间运行的无线基础设施设备尤为重要。该晶体管还具备良好的抗失真性能，适用于需要高线性度的应用场景，如数字预失真（DPD）系统。

QPC6082TR7广泛应用于无线通信基础设施，如4G LTE和5G NR基站的射频功率放大器模块。此外，它也适用于工业和医疗射频设备，如射频加热系统、等离子体发生器和射频测试设备。由于其高功率输出、高效率和良好的线性度，QPC6082TR7在需要高稳定性和高可靠性的射频系统中表现出色。

QPC6080, QPC6092