QPC6064TR13 是一款基于 MOSFET 技术的功率晶体管,广泛应用于高频开关电路和功率转换领域。该器件采用了先进的封装工艺和材料设计,确保了其在高频率、高效率应用场景下的卓越性能。
此芯片的主要特点是低导通电阻、快速开关速度和较高的电流处理能力。这些特性使得 QPC6064TR13 成为电源管理模块、电机驱动、DC-DC 转换器以及 PFC(功率因数校正)等应用的理想选择。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):64A
导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ
栅极电荷(Qg):25nC
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
QPC6064TR13 的核心特性在于其超低的导通电阻 Rds(on),仅为 1.3mΩ,这使其能够有效减少传导损耗并提高系统效率。
此外,它具有较低的栅极电荷 (25nC),从而实现了更快的开关速度,降低了开关损耗。这种组合非常适合要求高效能和高频工作的应用环境。
该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下保持稳定的性能表现,同时支持高达 64A 的连续漏极电流,适用于大功率场景。
QPC6064TR13 主要用于以下场景:
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 功率因数校正 (PFC) 电路
3. 电机驱动控制
4. 开关电源 (SMPS)
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 大功率 LED 照明驱动
由于其优异的电气特性和热性能,这款器件在需要高效率和大电流处理能力的工业及消费电子领域中备受青睐。
QPC6064TR15, IRF6645, FDP6670