工作频率范围：1.8 GHz 至 3.5 GHz
　　输出功率：典型值 10 W（连续波）
　　增益：20 dB（典型值）
　　电源电压：+28 V DC
　　电流消耗：典型值 1.2 A（静态电流）
　　封装形式：SMT（表面贴装技术）
　　输入/输出阻抗：50 欧姆
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

QPA1000 的主要特性之一是其基于 GaN 技术的高效率和高功率密度，使其在高功率应用中表现出色，同时保持较低的热阻，有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。芯片设计中集成了内部匹配网络，减少了外部元件的需求，简化了设计和布局。QPA1000 还具备良好的线性度，适用于需要高信号完整性的应用，如 LTE 和 Wi-Fi 6 等现代通信标准。此外，该器件具有较高的输入回波损耗（Return Loss）和良好的隔离度，有助于减少信号反射和干扰。
　　QPA1000 的热管理能力也是其一大亮点，其低热阻设计确保了在高温环境下依然能够稳定运行。该芯片还支持多种调制格式，适用于多种无线通信协议。其封装形式采用工业标准尺寸，便于在各种 PCB 设计中集成。

QPA1000 主要用于高性能射频通信系统，如 4G/5G 基站、Wi-Fi 6 接入点、分布式天线系统（DAS）、无线回传设备、宽带通信设备以及工业和商业无线设备。在这些应用中，QPA1000 可以作为主功率放大器或驱动放大器，提供高效的射频信号放大功能。由于其宽频带特性，QPA1000 也非常适合多频段或多标准通信设备的使用。此外，该芯片还可用于测试和测量设备、广播设备以及需要高功率放大的特殊通信系统中。

QPA1005, QPA0010, HMC8205BF10