QMV863BT5 时间：2025/8/12 23:31:58 阅读：25

QMV863BT5 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等。QMV863BT5采用了先进的沟槽技术，能够在较小的封装尺寸下提供出色的导通电阻和开关性能。该MOSFET具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于需要高功率密度和低功耗的电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：6.3A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散(PD)：3.1W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSOP-6

特性

QMV863BT5具备多项高性能特性，首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为22mΩ，而在VGS=4.5V时也仅为30mΩ，使其适用于多种栅极驱动电压条件下的应用。
　　其次，该MOSFET采用TSOP-6封装，体积小巧，适合用于空间受限的设计。同时，该封装提供了良好的热管理能力，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　此外，QMV863BT5支持高达±20V的栅源电压，具备较强的抗过压能力，增强了器件在复杂工作环境中的可靠性。
　　其沟槽型MOSFET结构优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。该器件还具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为6.3A，适用于中高功率的负载控制和电源管理应用。
　　QMV863BT5的工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工作环境，包括汽车电子、工业控制、消费类电子产品等要求较高的应用场景。

应用

QMV863BT5适用于多种电源管理与功率控制场景。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关或同步整流器，有效提升转换效率并减小电路体积。在电池管理系统中，QMV863BT5可用于电池充放电控制，其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　此外，该器件适用于负载开关电路，用于控制电源对负载的供给，常见于便携式设备、服务器电源、工业自动化设备和汽车电子系统中。
　　由于其高频率开关能力和低损耗特性，QMV863BT5也广泛应用于LED驱动电路、电机控制电路以及电源管理模块中，为设计提供高效、稳定的功率解决方案。