QMV74BP5 时间：2025/8/12 19:44:21 阅读：11

QMV74BP5 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 设计用于高效率和低导通电阻，适用于需要低电压操作的电子设备。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-7.4A
　　导通电阻（RDS(ON)）：约 22mΩ（在 VGS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

QMV74BP5 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。在 VGS = -10V 时，其 RDS(ON) 低至约 22mΩ，使其适用于需要高电流和低损耗的功率应用。该器件的漏极和源极之间可承受的最大电压为 30V，栅极电压范围为 ±20V，使其在多种电压环境下具有良好的稳定性。
　　此外，该 MOSFET 的连续漏极电流为 -7.4A，适用于中高功率的开关电路。器件的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），这种封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上进行安装和散热管理。
　　QMV74BP5 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于工业和汽车等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

QMV74BP5 主要用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动器。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器，该 MOSFET 可用于电源路径管理，以实现高效能和低功耗运行。
　　此外，QMV74BP5 也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载充电器和电动助力转向系统。由于其具有较高的可靠性和较宽的工作温度范围，它可以在恶劣的汽车环境中稳定运行。
　　在工业控制领域，该器件可用于工业自动化设备的电源管理模块和电机驱动系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高性能开关应用的理想选择。