QMV74BD1 时间：2025/8/12 18:25:03 阅读：24

QMV74BD1是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源管理应用。这款MOSFET属于ST的STPOWER系列，具有优异的导通电阻和热性能，适用于如电源转换器、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：75A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值7.4mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装方式：表面贴装

特性

QMV74BD1具有低导通电阻（RDS(on)），能够在高电流条件下提供较低的功率损耗，从而提高系统效率。
　　其采用先进的平面条形MESH技术，提高了热稳定性和耐久性，使其适用于高功率密度的设计。
　　该器件的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提高了在高频开关应用中的可靠性。
　　PowerFLAT 5x6封装具有较小的封装尺寸和优良的热管理性能，适合高密度PCB布局。
　　QMV74BD1还具有低门极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频操作环境。
　　此外，该MOSFET具有良好的雪崩击穿能力，增强了在过载和短路情况下的耐受性。

应用

QMV74BD1广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等。
　　在服务器电源和电信设备中，它用于高效率的电源转换模块，以降低能耗并提高系统稳定性。
　　该器件也常用于电机驱动电路和工业自动化系统中的功率控制部分。
　　此外，QMV74BD1还可用于电动汽车的电池管理系统（BMS）和充电器设计中，以实现高效能的能源管理。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，它也被广泛用于需要高功率密度的便携式电子设备中。