时间：2025/8/12 19:36:26
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QMV493CT5 是一款由Qorvo公司推出的高性能射频（RF）晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用了先进的GaAs（砷化镓）工艺，具有优异的射频性能，适用于无线通信、雷达系统和测试设备等领域。QMV493CT5 主要用于功率放大器的设计，能够在高频范围内提供高增益和出色的线性度。
制造商：Qorvo
晶体管类型：GaAs FET
频率范围：DC至6 GHz
输出功率：典型值为10 W（在2 GHz）
增益：典型值为20 dB（在2 GHz）
漏极电流：典型工作电流为750 mA
漏极电压：最大额定值为28 V
封装类型：陶瓷封装
工作温度范围：-55°C至+150°C
QMV493CT5 拥有卓越的射频性能，能够在高达6 GHz的频率范围内稳定工作，适用于多种高频应用。该器件的高输出功率能力使其在需要高功率放大的场景中表现出色，尤其是在2 GHz频段时，能够提供高达10 W的典型输出功率。
此外，该晶体管具有良好的线性度和低失真特性，能够满足现代通信系统对信号质量的高要求。QMV493CT5 的增益性能也非常出色，在2 GHz频段时增益可达20 dB，确保信号在传输过程中保持较高的强度。
其GaAs工艺不仅提供了优异的高频性能，还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。QMV493CT5 的陶瓷封装设计有助于提高器件的机械强度和热导性能，确保其在高功率工作状态下的稳定性。
QMV493CT5 主要应用于无线通信系统中的功率放大器设计，特别是在蜂窝基站、微波通信和卫星通信等领域。其高功率输出能力和宽频率范围使其成为雷达系统和测试测量设备中的理想选择。此外，该器件也可用于工业和医疗设备中的射频能量传输应用，提供高效稳定的信号放大功能。
QMV493CT5G、QMV493CT、QMV493CT-1
