时间：2025/8/12 20:23:42
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QMV233AT5 是一只由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、开关电路以及负载控制等应用场景。该器件采用5引脚TSOT封装，具有较高的可靠性和较低的导通电阻，适合在便携式电子设备和中等功率应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS = 4.5V
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = 2.5V
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSOT-5
QMV233AT5具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)值在VGS为4.5V时仅为33mΩ，即使在较低的栅极电压（如2.5V）下也保持在可接受范围内（45mΩ），使其适用于低压驱动电路。
该MOSFET采用TSOT-5封装形式，体积小巧，适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等。同时，该封装具有良好的热性能，能够有效地将热量散发出去，确保器件在高电流下的稳定运行。
此外，QMV233AT5具备较高的栅极绝缘能力，栅源电压最大可达±12V，提高了器件在复杂工作环境中的可靠性。其额定漏极电流为6A，能够在中等功率负载下提供稳定的开关性能，适用于DC-DC转换器、电池保护电路、负载开关等应用场景。
在热保护方面，QMV233AT5的结构设计有助于在高功耗条件下维持较低的结温，避免因温度过高而导致性能下降或损坏。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种工业级和消费级应用环境。
QMV233AT5广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效、低功耗开关控制的场景中表现优异。典型应用包括移动电源、电池管理系统、负载开关、DC-DC转换器、同步整流电路以及便携式消费类电子产品中的电源管理模块。
在电池管理系统中，QMV233AT5常用于电池充放电路径的控制，确保在过流、短路等异常情况下及时断开电路，保护电池和系统安全。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关使用，提高转换效率并减小电路体积。
由于其良好的导通特性和小封装设计，QMV233AT5也非常适合用于需要频繁开关操作的负载控制电路，如LED背光驱动、马达控制、USB电源开关等。在穿戴设备和物联网设备中，该器件有助于实现高效的能源管理，延长设备续航时间。
Si2302DS, FDN304P, 2N7002K
