类型：NPN晶体管
　　封装：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益（hFE）：在Ic=2mA时，hFE最小值为110（具体等级可能分为O、Y、GR、BL等）
　　频率响应：适合用于高频应用

QMS07DH-G晶体管具有多个关键特性，使其适用于各种通用电子电路设计。
　　首先，该晶体管采用SOT-23封装，这是一种小型表面贴装封装形式，适用于现代电子产品对空间和封装尺寸的要求。由于其紧凑的尺寸，QMS07DH-G非常适合用于PCB板上空间受限的设计。
　　其次，QMS07DH-G的电气性能稳定，具有较高的电流放大系数（hFE）。其增益范围可根据具体等级（如O、Y、GR、BL）提供不同的放大能力，适用于需要不同性能等级的应用场景。
　　此外，QMS07DH-G具有较高的最大集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）容量，使其能够在较宽的工作范围内可靠运行。这种特性使其能够胜任开关电路和放大电路的需求。
　　QMS07DH-G还具有良好的频率响应特性，能够在高频环境下提供稳定的性能，因此适用于射频（RF）和通信设备中的信号处理和放大应用。
　　最后，QMS07DH-G晶体管的热性能和功耗设计合理，最大功耗为300mW，确保在长时间运行中保持较低的温度上升，提高整体系统的可靠性和寿命。

QMS07DH-G晶体管广泛应用于多个电子领域。首先，它在通用开关电路中非常常见，例如用于控制LED、继电器、小型电机和其他负载的开关操作。其高电流放大系数使其成为理想的开关元件。
　　其次，QMS07DH-G也常用于放大电路，如音频放大器、信号放大器和射频信号放大器。其良好的频率响应特性使其能够在高频应用中保持稳定的放大性能。
　　此外，QMS07DH-G在数字逻辑电路、缓冲器和逆变器电路中也有应用，适用于需要高稳定性和低功耗的场景。
　　由于其紧凑的SOT-23封装，QMS07DH-G也常用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制设备中，满足对小型化和高性能的需求。

2N3904, BC847, 2N2222