时间：2025/7/7 11:52:00
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QMK325B7154KNHT是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和开关应用。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备。
该器件采用TO-263封装形式，能够承受较高的电压和电流负载，适合用于电源管理电路、电机驱动器以及逆变器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：700V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：14A
导通电阻：0.7Ω（典型值）
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃至+175℃
QMK325B7154KNHT具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达700V的漏源电压，适用于高压环境下的功率控制。
2. 极低的导通电阻（0.7Ω典型值），有效减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，适合高频应用场景。
4. 热稳定性强，能够在极端温度条件下正常运行。
5. TO-263封装设计，易于安装且散热性能良好。
6. 高可靠性与长寿命，确保在各种复杂工况下稳定运行。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
4. 电动汽车充电桩的电源管理部分。
5. LED驱动器以及其他需要高效功率开关的应用。
其高性能和可靠性使其成为众多大功率应用的理想选择。
QMK325B7154KNGT, IRF740, STP75NF70
